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浙江大學楊德仁院士團隊---通過HVPE法抑制 (010) β-Ga?O?同外延層生長上的Hillock缺陷
通過鹵化物氣相外延（HVPE）成功生長出了厚度約為 10 μm 的高質量、無丘陵狀缺陷的（010）β-Ga2O3 均勻層。
2025-04-25 19:11:56
西安電子科技大學與重慶郵電大學---采用 Ga?O?/NiO 異質結的高性能全柵極光電晶體管，用于高級紫外線檢測
采用 NiO/Ga2O3 異質結和 GAA 結構開發的紫外光電晶體管通過將 p-NiO 用作柵極電介質實現了卓越的性能。
2025-04-25 19:06:09
劉益春院士團隊李炳生教授MOCVD課題組研究論文---引入GaON成核層實現β-Ga?O?/GaN高性能紫外探測器
該器件是通過一種新的反向替代生長路線制造的，通過 OPT 在 GaN 表面引入 GaON 成核層，用于 β-Ga2O3 合成。詳細分析了成核層對 GaN 在氧氣環境下高溫轉化為 β-Ga2O3 的影響
2025-04-25 19:00:30
西電郝躍院士、張進成教授、周弘教授團隊：1.96?kV p-Cr?O?/β-Ga?O?異質結二極管，理想因子1.07
該文章報道了一種具備千伏級擊穿電壓（BV）的 p-Cr2O3/n-Ga2O3 垂直異質結二極管（HJD）。
2025-04-18 12:14:02
大連理工大學集成電路學院梁紅偉團隊以APL精選論文形式發表OVPE外延Ga?O?厚膜及缺陷形成機理重要論文
OVPE 方式具有生長速度快（≥10μm/h），成膜質量高并且設備成本低等優勢
2025-04-18 12:03:42
日本NCT全球首發全氧化鎵基Planar SBD器件
日本株式會社 Novel Crystal Technology（NCT）公司正式宣布向全球合作客戶推出其創新的Planar SBD（肖特基勢壘二極管）器件。
2025-04-15 09:46:48
