東北師范大學(xué)李炳生教授團(tuán)隊(duì)---具有偏壓可調(diào)諧光譜選擇性響應(yīng)的高性能Ga?O?/GaN異質(zhì)結(jié)紫外光探測器
由東北師范大學(xué)李炳生教授團(tuán)隊(duì)在學(xué)術(shù)期刊 IEEE Electron Device Letters 發(fā)布了一篇名為Bias-tuned Selective Spectral Response high-performance Ga2O3/GaN Heterojunction Ultraviolet Photodetector(具有偏壓可調(diào)諧光譜選擇性響應(yīng)的高性能 Ga2O3/GaN 異質(zhì)結(jié)紫外光探測器)的文章。
1. 項(xiàng)目支持
本研究得到國家自然科學(xué)基金委員會(huì)(編號(hào):62274027 和 62404039)、松湖材料實(shí)驗(yàn)室開放研究基金(2023SLABFK03)、111 中心(B25030)和吉林省資金(編號(hào):20220502002 GH)、中國博士后科學(xué)基金項(xiàng)目(GZC20230416)以及中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(2412024QD010)的支持。
2. 背景
紫外(UV)光電探測器在火焰探測、安全通信、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。根據(jù)波段不同,通常需要不同材料的探測器。將兩種不同帶隙的半導(dǎo)體材料結(jié)合形成異質(zhì)結(jié),有望在單個(gè)器件中實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)紫外波段的探測。開發(fā)一種能夠“選擇”或“調(diào)諧”其探測波段的探測器,對(duì)于提升系統(tǒng)功能性、降低復(fù)雜性和成本具有重要意義。例如一個(gè)器件如果能根據(jù)需要切換其對(duì) UVA 或 UVC 光的敏感度,將極具應(yīng)用價(jià)值。實(shí)現(xiàn)這種光譜選擇性的方法之一是通過改變器件的工作偏置電壓來調(diào)控其內(nèi)部的電場分布和載流子輸運(yùn)路徑。
3. 主要內(nèi)容
采用 GaN 熱氧化法成功制備了 β-Ga2O3 薄膜,并構(gòu)建了具有不同電極參數(shù)(包括長度、寬度和電極間距)的 Ga2O3/GaN 異質(zhì)結(jié)紫外光電探測器。在優(yōu)化的電極參數(shù)的情況下,探測器表現(xiàn)出極低的暗電流,在 10 V 偏壓下僅為 63.2 fA。在 33 μW/cm2 的紫外光照射下,探測器表現(xiàn)出超過 106 的光暗電流比。通過調(diào)整 β-Ga2O3 光吸收層的厚度以增強(qiáng)紫外光吸收并減少載流子復(fù)合,探測器實(shí)現(xiàn)了高達(dá) 3061 A/W 的響應(yīng)度和超過 1015 Jones 的探測率。此外,通過調(diào)節(jié)施加的偏壓,探測器能夠?qū)θ彰ぷ贤鈫尾ǘ魏腿彰そ贤怆p波段響應(yīng)光譜進(jìn)行可調(diào)控制。這些研究成果為高性能紫外光電探測器的優(yōu)化設(shè)計(jì)和應(yīng)用提供了重要的理論支持和實(shí)驗(yàn)依據(jù)。
4. 創(chuàng)新點(diǎn)
● 成功演示了基于 Ga2O3/GaN 異質(zhì)結(jié)的偏壓可調(diào)諧雙波段(UVA 和 UVC)紫外探測器。
● 僅通過調(diào)節(jié)偏置電壓即可切換主要探測波長是該器件的一大功能亮點(diǎn),在單個(gè)簡單器件中實(shí)現(xiàn)了光譜選擇性響應(yīng)。
● 實(shí)現(xiàn)了高性能器件,包括 fA 級(jí)的超低暗電流、超過 3000 A/W 的超高響應(yīng)度以及超過 1015 Jones 的極高探測率。
5. 總結(jié)
這項(xiàng)工作展示了一種通過熱氧化法制造的 Ga2O3/GaN 異質(zhì)結(jié)紫外光電探測器(PD)。該探測器表現(xiàn)出卓越的性能,其亮電流與暗電流之比超過 106,超高響應(yīng)度為 3061 A/W,探測率大于 1015 Jones。此外,通過調(diào)節(jié)施加的偏壓,該器件能夠靈活控制日盲紫外單波段和日盲近紫外雙波段響應(yīng)光譜。
圖 1 (a)GaN/Al2O3; Ga2O3/GaN/Al2O3 薄膜的 XRD 圖譜。(b)Ga2O3 和 GaN 的截面掃描電子顯微鏡圖像。
圖2.(a)器件示意圖。電極參數(shù)示意圖。(b)暗態(tài)和光照條件下的 I-V 曲線。(c)10V 偏壓下的暗電流。(d)10V 偏壓下的光電流與暗電流之比。(e)10V 偏壓和 255 nm光照下的響應(yīng)度。(f)10V 偏壓和 255 nm光照下的探測率。
DOI:
doi.org/10.1109/LED.2025.3562580
本文轉(zhuǎn)發(fā)自《亞洲氧化鎵聯(lián)盟》訂閱號(hào)