核心技術
提供全球領先的寬禁帶半導體領域關鍵材料和設備。
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?天津市萬德思諾國際貿易有限公司成立于2019年5月17日，公司秉承“引進尖端技術、服務本土客戶”的理念，主要代理銷售日本及歐美等國第三代半導體領域（碳化硅、氮化鎵等）的先進材料和尖端設備，致力于服務國內各大高校、研究單位和半導體行業客戶。公司創始人核心團隊成員均具有15年以上相關從業經歷，特別是在寬禁帶半導體行業具有豐富的經驗和資源。
自公司成立以來團隊開始積極布局和銷售第四代半導體領域（氧化鎵）的相關材料和設備，不斷整合行業技術資源并融合本公司的專業技術和售后團隊，竭誠為每一位客戶提供優質的全產業化方案以及專業的技術支持和優質的售后服務。
萬德思諾致力于成為寬禁帶半導體行業設備及材料專業供應商 ！
Wide-BandGap Semiconductor Industry Equipment and Material Professional Supplier!
核心競爭力
Core Competitiveness
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資源整合
深耕化合物集寬禁帶半導體行業，提供全產業鏈的材料和設備解決方案。
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一站式服務
提供詳細的售前技術咨詢服務，可安排免費的樣品測試。多樣化的交易方式，滿足不同客戶采購要求。提供設備的安裝、保養、維修、升級等一站式服務。
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專業團隊
公司研發人員長期從業于半導體行業，有豐富的設備使用、安裝、調試經驗，從專業角度為您提供專業服務。
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成本優勢
從技術方案到生產線運營管理，公司有完整的科學的成本管控方案，從多角度為客戶打造最優方案。
新聞動態
News Center
2025-04-25 19:11:56
浙江大學楊德仁院士團隊---通過HVPE法抑制 (010) β-Ga?O?同外延層生長上的Hillock缺陷
通過鹵化物氣相外延（HVPE）成功生長出了厚度約為 10 μm 的高質量、無丘陵狀缺陷的（010）β-Ga2O3 均勻層。
2025-04-25 19:06:09
西安電子科技大學與重慶郵電大學---采用 Ga?O?/NiO 異質結的高性能全柵極光電晶體管，用于高級紫外線檢測
采用 NiO/Ga2O3 異質結和 GAA 結構開發的紫外光電晶體管通過將 p-NiO 用作柵極電介質實現了卓越的性能。
2025-04-25 19:00:30
劉益春院士團隊李炳生教授MOCVD課題組研究論文---引入GaON成核層實現β-Ga?O?/GaN高性能紫外探測器
該器件是通過一種新的反向替代生長路線制造的，通過 OPT 在 GaN 表面引入 GaON 成核層，用于 β-Ga2O3 合成。詳細分析了成核層對 GaN 在氧氣環境下高溫轉化為 β-Ga2O3 的影響
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